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磁敏三極管結構是在高純度半導體鍺的兩端雜質P型區(qū)和N型區(qū)，和磁敏二極管一樣也有I區(qū)和R區(qū)。 在沒有外加磁場時，從發(fā)射極E注入到I區(qū)的電子，在橫向磁場UBE的作用下，大部分與I區(qū)的空穴復合形成基極電流，少部分電子到集電極形成集電極電流。此時基極電流大于集電極電流。在外加磁場B的作用下，從發(fā)射極E注入到I區(qū)的電子，在受到橫向電場UBE的作用外，還受到洛倫茲力的作用，使其向復合區(qū)R的方向偏轉，導致電子的分布發(fā)生變化，原來注入集電極的部分電子注入基區(qū)，原來注入基區(qū)的部分電子進入了復合區(qū)，導致集電極電流減小，基極的電基本保持不變，而在運算中，像光電開關傳感器、接近開關傳感器的方式更加不同。 在外加磁場B的作用時，其過程和外加磁場B時的情況剛好相反，導致集電極電流增大，基極的電流基本保持不變。 由此可以看出，磁敏三極管和磁敏三極管的工作原理基本相同，可以用磁場方向控制集電極電流的增加或減小，也可以用磁場的強弱控制集電極電流增加或減小的變化量。 |
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